RGTH60TS65DGC13 دیتاشیت

RGTH60TS65DGC13

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RGTH60TS65DGC13
حجم فایل 85.997 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت RGTH60TS65DGC13

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: Trench Field Stop
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: ROHM Semicon RGTH60TS65DGC13
  • Operating Temperature: -40°C~+175°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 58A
  • Power Dissipation (Pd): 194W
  • Input Capacitance (Cies@Vce): -
  • Turn?on Switching Loss (Eon): -
  • Pulsed Collector Current (Icm): 120A
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): 58ns
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 650V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): -
  • Package: TO-247GE
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه